12月9日至13日，第69屆IEEE國際電子器件年會(International Electron Devices Meeting，IEDM 2023)在美國舊金山舉行。
國際電子器件大會（IEDM）始于1955年，是集成電路器件領(lǐng)域的D級會議，在國際半導(dǎo)體技術(shù)界享有很高的學(xué)術(shù)地位和廣泛的影響力，被譽為“器件的奧林匹克盛會”。
IEDM影響力巨大，是全球報道半導(dǎo)體及電子器件領(lǐng)域新的科技、設(shè)計、制造、物理及建模的主要論壇，也是高校、研發(fā)機構(gòu)和行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)報告其技術(shù)突破的重要平臺。每年Intel、Samsung、TSMC和IBM等國際知名半導(dǎo)體公司都會利用這個會議發(fā)布其新研究成果。
本次 2023 IEDM 大會上，能華半導(dǎo)體發(fā)表了題為“1200V E-mode GaN Monolithic Integration Platform on Sapphire with Ultra-thin Buffer Technology”（基于超薄緩沖層技術(shù)的 1200V 增強型氮化鎵單片集成平臺）的論文，包含高壓增強型GaN器件、低壓增強型GaN器件、二極管、電阻和電容等，其中高壓器件擊穿電壓達2300V，在1200V電壓下的關(guān)態(tài)漏電僅為100pA/mm，淺槽隔離結(jié)構(gòu)擊穿電壓達3000V。
基于江蘇能華和東南大學(xué)長期的技術(shù)合作，共同開發(fā)了超薄緩沖層(UTB)外延技術(shù)，全球首次報道1200V GaN高低壓兼容制備工藝，基于該技術(shù)研制的1200V GaN半橋集成芯片實現(xiàn)了800V/1MHz/175℃條件下無串?dāng)_工作。
該成果體現(xiàn)了 GaN 器件在 1200V 應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢，將領(lǐng)銜推動 GaN 器件在 1200V 應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。
